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場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

  • 訪(fǎng)問(wèn)量:5221
  • 更新日期:2023-03-20
  • 產(chǎn)品介紹:Quattro場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)‵EG)確保了優(yōu)異的分辨率,通過(guò)不同的探測(cè)器選項(xiàng),可以調(diào)節(jié)不同襯度信息,包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商

產(chǎn)品介紹

品牌FEI/賽默飛產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
價(jià)格區(qū)間面議儀器種類(lèi)場(chǎng)發(fā)射
應(yīng)用領(lǐng)域化工,石油

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Quattro SEM特點(diǎn)與用途:

    在自然狀態(tài)下對(duì)材料進(jìn)行預(yù)案為研究,具有環(huán)境真空模式(ESEM)的高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

    縮短樣品制備時(shí)間:低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對(duì)不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無(wú)荷電累積;
    在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,同步獲取二次電子像和背散射電子像;
    優(yōu)良的分析性能,樣品倉(cāng)可同時(shí)安裝3三個(gè)EDS探測(cè)器,其中2個(gè)EDS端口分開(kāi)180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
    針對(duì)不導(dǎo)電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)"實(shí)現(xiàn)低真空模式下的EDS和EBSD分析;
    靈活、準(zhǔn)確的優(yōu)中心樣品臺(tái),105°傾斜角度范圍,可多方位觀(guān)察樣品;
    軟件直觀(guān)、簡(jiǎn)便易用,并配置用戶(hù)向?qū)Ъ癠ndo(撤銷(xiāo))功能,操作步驟減少,分析更快速;
    全新創(chuàng)新選項(xiàng),包括可伸縮RGB陰極熒光(CL)探測(cè)器、1100℃高真空熱臺(tái)和AutoScript。


金屬及合金、斷口、焊點(diǎn)、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料:聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤(rùn)/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸(伴隨加熱或冷卻)


發(fā)射源:高穩(wěn)定型肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

分辨率:

型號(hào)

Quattro C

Quattro S

高真空

30kV(SE)

1.0nm

1kV(SE)

3.0nm

低真空

30kV(SE)

1.3nm

3kV(SE)

3.0nm

30kV(BSE)

2.5nm

環(huán)境掃描模式

30kV(SE)

1.3nm


放大倍率:6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍:200V ~ 30kV
探針電流范圍:1pA – 200nA,連續(xù)可調(diào)
X-Ray工作距離:10mm,EDS檢出角35°
樣品室:從左至右為340mm寬的大存儲(chǔ)空間,樣品室可拓展接口數(shù)量12個(gè),含能譜儀接口3個(gè)(其中2個(gè)處于180°對(duì)角位置)


樣品臺(tái)和樣品:


探測(cè)器系統(tǒng):

同步檢測(cè)多達(dá)四種信號(hào),包括

樣品室高真空二次電子探測(cè)器ETD
低真空二次電子探測(cè)器LVD
氣體SED(GSED,用于環(huán)境掃描模式)
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)(觀(guān)察樣品臺(tái)高度)
可用于樣品導(dǎo)航的彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™


控制系統(tǒng):
操作系統(tǒng):64為GUI(Windows10)、鍵盤(pán)、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示:24寸LCD顯示器,WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶(hù)界面,可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能



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